![shallow trench isolation半導体](https://host.easylife.tw/files/RiotIsolator.png)
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...,由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforredu...
TWI390665B
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本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(ShallowTrenchIsolation)的半導體裝置及其製造方法。為了將半導體元件細微化及高速化,必須將元件 ...
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